SK海力士1c DRAM良率到达80%

  据业界音讯，SK海力士第六代10纳米级1c DRAM的近期良率已到达约80%。

  SK海力士曾于上一年8月宣告，成功开宣布全球首款选用1c工艺的16GB DDR5 DRAM。

  但是，为了应对一向增加的HBM需求，SK海力士将设备和人力优先装备到了HBM出产线上。

  在下一年行将推出的第六代HBM4产品中，SK海力士仍将沿袭与第五代HBM3E相同的1b DRAM。

  因而，方案于本年年底竣工的清州M15X工厂也将要点扩建使用1b工艺的出产线。

  现在，SK海力士正出资120万亿韩元建造全球规划最大的半导体工厂——龙仁集群。

  虽然在下一代DRAM技能实力方面，三星电子一度落后，但在产能方面仍大幅领先于SK海力士。

  依据市调组织的数据，按晶圆投片量计算，三星电子的DRAM产值至少是SK海力士的1.5倍以上。

  现在，三星电子也在技能层面全力聚集于1c DRAM，期望重夺商场主导权。

  公司正在从头规划1c DRAM，并方案从HBM4开端引进1c工艺产品，加快技能开发进程。

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